? ?赛米控SKM600GB123D是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 赛米控SKM600GB123D具有饱和压降低、载流密度大、驱动功率很小、开关速度快的优点，非常适合应用于电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。

? ?赛米控SKM600GB123D采用纤薄晶圆场截止沟道技术，提供极低的传导损耗和开关损耗，并能实现二者的平衡。新器件与软恢复低Qrr二极管共同封装，通过5μs短路额定值来优化超高速开关，还具备有助于并联的低Vce(on) 和正Vce(on) 温度系数。

? ?赛米控SKM600GB123D基本参数：沟道型IGBT模块 600A/1200V

? ?赛米控SKM600GB123D IGBT模块的沟道结构场截止沟道技术利用沟道栅结构和高度掺杂n+缓冲层获得沟道穿通特性。借助这些功能，此新的IGBT技术实现了比上一代技术更高的单元密度。因此，在给定硅面积下它具有低得多的通态压降。新场截止沟道IGBT的电流密度是之前场截止平面技术的两倍以上。

? ?因为较高的阻断电压和较小的尺寸导致Vce(sat)增加。此低Vce(sat)是新场截止沟道IGBT的主要优势。场截止沟道技术还减少了每转换周期的关断能耗，如图1所示。此增强的权衡特性使逆变器设计能够满足较高系统效率的市场需求。尽管硅面积减小，新场截止沟道IGBT在因热失控出现故障之前提供5us短路耐受时间，这是上一代IGBT无法提供的。新场截止沟道IGBT也有较低的关断状态漏电流，最大结温为175℃。