是否有现货：	是	认证：	ISO9000
类型：	双向可控硅	工作特性：	双向可控硅（TRIAC)
可控硅的触发：	过零触发	型号：	BSM200GB120DLC
包装：	盒装

BSM200GB120DLC三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 成都亨力拓电子有限公司
BSM200GB120DLC英飞凌英飞凌BSM200GB120DLC产品图英飞凌BSM200GB120DLC产品性能和作用 ?英飞凌BSM200GB120DLC是由欧佩克生产的新型IGBT之一，BSM200GB120DLC比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，BSM200GB120DLC能实现高效和可靠的逆变器系统。英飞凌BSM200GB120DLC电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。?英飞凌BSM200GB120DLC基本参数：EUPEC 200A/1200V,两单元半桥模块 ?英飞凌BSM200GB120DLC外形封装尺寸和结构图（mm）英飞凌BSM200GB120DLC外形封装尺寸和结构图 ?英飞凌BSM200GB120DLC 产品参数产品种类：IGBT 模块产品：IGBT Silicon Modules品牌和型号英飞凌BSM200GB120DLC配置：Dual集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V集电极—射极饱和电压：2.1 V在25 C的连续集电极电流：420 A栅极—射极漏泄电流：400 nA功率耗散：1550 W最大工作温度：+ 125 C封装 / 箱体：62 mm商标：Infineon Technologies栅极/发射极最大电压：+/- 20 V最小工作温度：- 40 C安装风格：Screw工厂包装数量：500 ?英飞凌BSM200GB120DLC 等效电路图英飞凌BSM200GB120DLC 等效电路图 ?英飞凌BSM200GB120DLC IGBT逆变器的运用原理 ? 在逆变器驱动UPS或电机应用中，IGBT如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过IGBT的电流快速增加直至饱和。在故障检测和保护功能激活前，IGBT将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，1200V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级NPC拓扑中完美平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发1200V IGBT时，将开关和传导损耗保持在与V IGBT相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成Vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。上一篇：SKM400GB125D西门康下一篇：SKM600GB123D西门康