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所属目录：可控硅 搜索关键字：BSM50GD120DN2功率模块 信息简介：BSM50GD120DN2功率模块 
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“BSM50GD120DN2功率模块”参数说明
| 是否有现货： |
是 |
认证： |
ISO9000 |
| 类型： |
双向可控硅 |
工作特性： |
双向可控硅（TRIAC) |
| 可控硅的触发： |
过零触发 |
型号： |
BSM50GD120DN2 |
| 包装： |
盒装 |
“BSM50GD120DN2功率模块”详细介绍
 三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓电子有限公司0755-83293082
最新到货英飞凌?六单元BSM50GD120DN2 1200V ?IGBT功率模块?欢迎来电咨询价格！
型号：BSM50GD120DN2
品牌：英飞凌（INFINEON）/优派克
电压：1200V
BSM50GD120DN2特点：
▲VCES=1200V
▲电源模块▲3相全桥▲内置续流二极管▲绝缘金属基板封装
BSM50GD120DN2参数说明：
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Type
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VCE
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IC
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Package
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Ordering Code
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BSM50GD120DN2
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1200V
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72A
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ECONOPACK 2K
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C67076-A2514-A67
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最大额定值：
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Parameter
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Symbol
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Values
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Unit
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Collector-emitter voltage
|
VCE
|
1200
|
V
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Collector-gate voltage
RGE?= 20 kW
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VCGR
|
1200
|
|
Gate-emitter voltage
|
VGE
|
± 20
|
|
DC collector current
TC?= 25 °C
TC?= 80 °C
|
IC
|
72
50
|
A
|
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Pulsed collector current,?tp?= 1 ms
TC?= 25 °C
TC?= 80 °C
|
ICpuls
|
144
100
|
|
Power dissipation per IGBT
TC?= 25 °C
|
Ptot
|
350
|
W
|
|
Chip temperature
|
Tj
|
+ 150
|
°C
|
|
Storage temperature
|
Tstg
|
-40 ... + 125
|
|
Thermal resistance, chip case
|
RthJC
|
??0.35
|
K/W
|
|
Diode thermal resistance, chip case
|
RthJCD
|
??0.7
|
|
Insulation test voltage,?t?= 1min.
|
Vis
|
2500
|
Vac
|
|
Creepage distance
|
-
|
16
|
mm
|
|
Clearance
|
-
|
11
|
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DIN humidity category, DIN 40 040
|
-
|
F
|
sec
|
|
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
|
-
|
40 / 125 / 56
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